深圳市汇创佳电子科技有限公司 0755-82545498 QQ:531398920 朱先生
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.03A，700mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 480 毫欧 @ 200mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 0.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 37.1pF @ 10V
功率 - 最大值 450mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563，SOT-666
