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HY57V561620CTP-H 描述
该HY57V561620C （L ）T （ P）系列是268,435,456bit CMOS同步DRAM ，
非常适合主存储应用这需要大的存储密度和高带宽。 HY57V561620C （L ），
T（ P）系列被组织为4,194,304x16 4banks 。
HY57V561620C （L） T（ P）的系列是提供参考时钟的正边缘完全同步操作。
所有输入和输出与时钟输入的上升沿同步。的数据通路内部流水线，以达到非常高的带宽。
所有输入和输出电压电平与LVTTL兼容。
可编程选项包括管道的长度（ 2个读延迟或3）通过启动连续的读或写周期中，
数一个单一的控制命令（的1,2,4,8或整页的突发长度），以及脉冲串计数序列（顺序或交错） 。
一阵读或正在进行的写周期可以由一个脉冲串被终止终止命令，
或者可以通过一个新的脉冲串读或中断，替换写在任何周期命令。 （此流水线设计不是由` 2N`规则的限制。 ）
特点
单3.3 ± 0.3V电源
所有器件引脚与LVTTL接口兼容
JEDEC标准400mil 54pin TSOP- II与引脚为0.8mm间距（引线封装，或无铅封装）
所有输入和输出参考系统的正沿时钟
通过UDQM ， LDQM数据屏蔽功能
国内四家银行的操作
