ASML的高管近日表示2025年推出的High-NA EUV光刻机可能将是光刻机的最后一代产品了，这已经达到了当前光刻机技术所能达到的最高水平，以这种光刻机技术或许能推进至1.8纳米，再先进的工艺就得另寻它法。
当前的EUV光刻机技术是通过将镜头放在液体里，通过液体和镜头等的多重折射最终打印出更小的结构，从而制造更先进的工艺，然而这种方式随着向更先进的工艺推进，这种方式导致光刻机日益笨重，光刻机自身的成本也因此激增，第一代EUV光刻机的价格达到1.2亿美元，预计High-NA EUV光刻机售价将达到4亿美元。
随着光刻机变得更加负责，光刻机的耗电量也在激增，业界人士指出High-NA EUV光刻机的总功耗将达到200万瓦的水平，每天耗电量将达到4.8万度电；如今台积电仅是推进至5nm工艺，它消耗的电力已占中国台湾省的8%，业界预期推进至3nm之后它消耗的电力将占中国台湾的12%。
一方面是光刻机的技术逐渐达到极限，继续升级已不太可能；另一方面是设备自身成本以及生产成本的激增，这就导致ASML自己都担忧这些先进光刻机未来还有多大需求，而快速发展的中国市场则可望成为台积电最后的希望。
当前有能力采用价格昂贵的EUV光刻机的客户其实只有Intel、台积电和三星，它们目前推进的最先进工艺为3nm，然而台积电的3nm被指在性能参数方面远未达到预期，这已导致苹果放弃了3nm，迫使台积电进一步改良3nm工艺至N3E。
三星的3nm工艺表现较好，但是三星的3nm工艺在良率方面却比台积电更低，导致成本奇高，失去经济价值。同时全球芯片行业已步入下行阶段，芯片企业为了节省成本均不愿采用先进工艺，高通就已确定将从只拥有14nm及成熟工艺的格芯采购76亿美元的芯片，这都导致台积电等芯片制造企业失去了研发先进工艺的动力。
如此情况下，这些芯片制造企业已不可能继续大规模采购EUV光刻机，对于更先进的High-NA EUV光刻机的采购也可能因此延期，毕竟市场需求不强的情况下，更先进的光刻机投资额巨大，会导致芯片制造企业承担巨大的风险。
如此情况下，如今ASML已认识到中国芯片行业已成为它最后一根救命稻草，开始积极寻求向中国芯片出口更多DUV光刻机，以抵御先进的EUV光刻机销售额迅速暴跌的局面，确保它自己在寒冬中获得生存的机会。
值得注意的是不仅ASML将希望放在中国市场，韩国存储芯片、美国芯片都将希望放在中国市场，它们目前都希望中国企业采购更多芯片，帮助它们解决芯片库存，确保现金流，为此甚至不惜大举降价抛售，与此前它们大举涨价销售芯片形成鲜明对比，这不免让人感叹一年河东、一年河西。
