厂商： SAMSUNG
功能：512K X 8 Standard SRAM, 70 ns, PDIP32
中文描述：512K×8标准的SRAM,70纳秒,PDIP32
规格参数
出厂包装说明 0.600 INCH, DIP-32
状态 已终止
技术 CMOS
包装形状 矩形
封装形式 In-line
终端形式 通孔
端子间距 2.54 mm
终端涂层 未说明
终端位置 双
功能数量 1
端子数 32
包主体材料 塑料/环氧树脂
温度等级 商用
内存宽度 8
组织 512K X 8
存储密度 4.19E6 deg
操作模式 异步
字数 524288 Words
字数代码 512K
最大工作温度 70℃
最小工作温度 0.0℃
电源电压 - 最大（Vsup） 5.5 V
电源电压最小值（Vsup） 4.5 V
电源电压标称值（Vsup） 5 V
记忆体IC型号 标准SRAM
并行/串行 并行
访问时间 - 最大（TACC） 70 ns
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