简介：
· 标准包装：2,000
· 类别：分离式半导体产品
· 家庭：FET - 单
· 系列：HEXFET®
· FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
· FET 特点：标准型
· 漏极至源极电压(Vdss)：55V
· 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：31A
· 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：65 毫欧 @ 16A，10V
· Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
· 闸电荷(Qg) @ Vgs：63nC @ 10V
· 输入电容 (Ciss) @ Vds：1200pF @ 25V
· 功率 - 最大：110W
· 安装类型：表面贴装
· 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
· 供应商设备封装：D-Pak
· 包装：带卷 (TR)
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