描述：
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TI一级授全系列产品
TI优势现货
TI原厂直销
供货 总量： 10322
最小起订量： 10 pcs
货 期： 现货
所 在 地： 深圳市
制造商: Texas Instruments
产品种类: 精密放大器
RoHS: 符合RoHS
放大器类型: Low Noise Amplifier
通道数量: 2 Channel
GBP-增益带宽产品: 4.5 MHz
SR - 转换速率 : 18 V/us
CMRR - 共模抑制比: 80 dB
每个通道的输出电流: 40 mA
Ib - 输入偏流: 10 pA
Vos - 输入偏置电压 : 1 mV
电源电压-最大: 36 V
电源电压-最小: 9 V
工作电源电流: 4.5 mA
最大工作温度: + 85 C
最小工作温度: - 25 C
关闭: No Shutdown
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
封装: Tube
商标: Texas Instruments
en - 输入电压噪声密度: 30 nV/sqrt Hz
In—输入噪声电流密度: 0.0012 pA/sqrt Hz
产品: Precision Amplifiers
PSRR - 电源抑制比: 80 dB
系列: OPA2107
工厂包装数量: 75
技术: BiFET
电压增益 dB: 96 dB
单位重量: 76 mg
Texas Instrument，为您带来最卓越的模拟集成电路和嵌入式处理器。我们将竭诚为您服务。
作为具有80年历史的业内创新先驱，德州仪器(TI)是电子元件产业最值得信赖的品牌——设计和制造半导体的全球知名企业，公司主要致力于开发嵌入式处理器和模拟集成电路。德州仪器不仅拥有最精锐的专家，还不断地推出足以改写技术历史的创新专利，因此公司始终走在行业尖端前沿。
通过与德州仪器合作，我们将对外发售TI最新的畅销产品，包括高性能模拟、嵌入式处理器、逻辑集成电路等等，可供您随意挑选
"三星Galaxy S7设计图首曝 采用长方形Home键"
今三星正式推出2015年旗舰产品Galaxy S6。而现在2016年即将到来，越来越多的Galaxy S7相关信息被曝光。近日，国外手机保护套制造商ITSKINS放出了三星Galaxy S7设计图稿。此前，ITSKINS便准确曝光过iPhone 6s的设计图稿，看来，Galaxy S7很有可能就是这个外观了。
从图稿看，总体上Galaxy S7会延续上一代产品的外观设计——双面2.5d玻璃+金属中框，但细节会有所不同。最明显的就是Galaxy S7的home键将一改过去椭圆形的外观，采用长方形的设计。不过，这颗home键和过去一样依然凸出，较易磨损。其次，Galaxy S7会用上在Android手机中逐渐开始普及的USB Tpye C接口。令人不解的是，三星此次将前置摄像头从听筒右侧移到了接近屏幕边缘的位置。
与此同时，Galaxy S7的后置摄像头凸起明显大于上一代产品，看来，三星旗舰Galaxy S系列在拍照上又会迎来新的一次升级。值得注意的是，三星这次把卡槽从电源键下方移到了较远的位置。目前，还不知道三星为什么要做出这样的改变。不过，在科客看来，既然中框上有卡槽的话，这说明Galaxy S7仍不会回归可拆卸背壳时代，也就意味着电池仍不可拆卸。
不过值得欣慰的是，Galaxy S7将和Galaxy S6一样配备红外线感应器。不得不说，Galaxy S6 edge+缺少红外线感应器的确是个小遗憾。
据此前消息称，三星Galaxy S7将于明年2月份在MWC 2016上正式发布。从时间上看，这比较符合三星Galaxy S系列一贯的发布规律。另外，Galaxy S7将有骁龙820和Exynos 8890两个版本。至于之前传出的“Galaxy S7摄像头不再凸起”等消息，现在看来就不太靠谱了。
总之，这次ITSKINS给出的设计图算是迄今为止关于Galaxy S7最靠谱的曝光了，接下来科客也会继续跟进Galaxy S7的相关消息。如果你对这款三星旗舰感兴趣，可以查看下面的设计图视频查看更多内容。
