型号:BT139-600E
制造商:NXP
产品种类:双向可控硅
额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V
关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):0.1 mA
栅触发电压 (Vgt):1.5 V
栅触发电流 (Igt):25 mA
保持电流(Ih 最大值):45 mA
正向电压下降:1.6 V
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220AB
封装:Rail
最大工作温度:+ 125 C
最小工作温度:- 40 C
重复峰值正向闭塞电压:600 V
工厂包装数量:50
零件号别名:BT139-600E,127
数量:11850
单价:面议
备注:深圳市勤思达科技有限公司主营MOSFET管,IGBT晶体管,现货库存供应BT139-600E,正品原装,品质保证,欢迎广大客户朋友咨询洽谈。
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