制造商: CEL
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: CEL
晶体管类型: HFET
技术: GaAs
频率: 12 GHz
增益: 13.5 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 4 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 3 V
Id-连续漏极电流: 70 mA
最大工作温度: + 125 C
Pd-功率耗散: 165 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: S0-2
封装: Reel
正向跨导 - 最小值: 55 mS
噪声系数: 0.35 dB
工厂包装数量: 2000
