数据列表 IRF(R,U)3708PbF
产品相片 DPAK_369D−01
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
设计资源 IRFR3708 Saber Model
IRFR3708 Spice Model
PCN 过时产品/ EOL Multiple Devices 25/Apr/2014
标准包装 ? 75
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
包装 ? 管件 ?
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 61A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 12.5 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 24nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 2417pF @ 15V
功率 - 最大值 87W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
供应商器件封装 I-Pak
其它名称 *IRFU3708PBF
