型号：IRF7754TRPBF
品牌：IR
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 阵列
系列：HEXFET®
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：25 毫欧 @ 5.4A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：900mV @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：22nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：1984pF @ 6V
功率 - 最大：1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商设备封装：8-TSSOP
包装：带卷 (TR)
其它名称：IRF7754TRPBF-NDIRF7754TRPBFTR
标准包装：4,000
封装：SOP8
数量：10000
单价：面议
备注：深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列场效应管，授权分销，公司常备大量的原装现货库存，低价供应IRF7754TRPBF IRF7754TRPBF，原厂直销，品质保证，价格市场最低，欢迎广大客户朋友咨询洽谈。
描述：
HEXFET®国际整流器功率MOSFET利用先进的加工技术，以实现EX-tremely低导通电阻每硅片面积。这样做的好处，结合加固装置的设计，即间国家整流器是众所周知的，提供thedesigner，用一个非常有效和可靠的装置，用于电池和负载管理。
采用TSSOP -8封装少45％的占位面积比标准的SO- 8 。这使得TSSOP - 8的理想其中，印刷电路板空间设备的应用是十分宝贵的。低调（ <1.2毫米）允许它适应易成非常薄的环境中，例如便携电子和PCMCIA卡。
特点：
超低导通电阻
P沟道MOSFET
超小型SOIC封装
薄型（ <1.1毫米）
可在磁带卷&
LEAD -FREE
深圳市勤思达科技有限公司
联系人：朱小玲
联系电话：0755-82710921
