型号:LMC660AIN
品牌:NS
制造商:National Semiconductor (TI)
通道数量:4
共模抑制比(最小值):70 dB
输入补偿电压:3 mV at 5 V
工作电源电压:5 V, 9 V, 12 V, 15 V
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:MDIP
转换速度:1.1 V/us at 5 V
关闭:No
最大工作温度:+ 85 C
封装:Tube
最小工作温度:- 40 C
工厂包装数量:25
电源电流:2.2 mA at 5 V
Supply Voltage - Max:15.5 V
Supply Voltage - Min:4.75 V
技术:CMOS
电压增益 dB:126.02 dB
封装:DIP-14
批号:2014+
数量:50000
单价:面议
备注:深圳市勤思达科技有限公司主营集成电路IC,公司授权分销NS国半系列,现货库存热卖LMC660AIN
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描述:
该LMC660 CMOS四路运算放大器是理想的操作采用单电源供电。它工作于+ 5V至+ 15.5V并具有轨到轨输出摆幅,除了一个输
入共模范围包括地。 Perfor-,在一直困扰CMOS放大器曼斯限制过去不与本设计的问题。输入VOS,漂移和宽带噪声和电压增益为现实的负载( 2 kΩ和600Ω )都等于或大于普遍好接受双极当量。该芯片是建立与美国国家半导体的先进的双聚硅栅CMOS工艺。看到LMC662数据表的双CMOS运算放大器,这些相同的功能.
特点:
轨到轨输出摆幅
指定为2 kΩ和600
高电压增益: 126分贝
低输入失调电压: 3 mV的
低失调电压漂移: 1.3 μV /℃
超低输入偏置电流: 2次足总杯
输入共模范围包括V−
经营范围为+ 5V至+ 15.5V电源
ISS= 375 μA /放大器;独立的V+低失真:在10 kHz 0.01 %
压摆率: 1.1 V / μs的
应用
高阻抗缓冲或前置放大器
高精度电流电压转换器
长期积分
采样和保持电路
峰值检波器医疗器械工业控制
汽车传感器
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