H5TQ2G83DFR-PBC
描述
该H5TQ2G83DFR - XXC ， H5TQ2G63DFR - XXC ， H5TQ2G83DFR -XXI ， H5TQ2G63DFR -XXI ， H5TQ2G83DFR-
XXL ， H5TQ2G63DFR -XXL ， H5TQ2G83DFR - XXJ ， H5TQ2G63DFR - XXJ是
2,147,483,648-bit
CMOS双数据
三率（ DDR3 ）同步DRAM ，非常适合需要大主存储器的应用
存储密度和高带宽。 SK海力士2GB DDR3 SDRAM芯片提供完全同步的操作REF-
所引用，以在时钟的上升沿和下降沿。虽然所有的地址和控制输入锁存
在CK的上升沿（下降沿在CK的边缘） ，数据，数据选通信号和写数据掩码输入是
采样在它的上升沿和下降沿。的数据通路内部流水线和8位预取
实现非常高的带宽。
特点
• VDD = VDDQ = 1.5V +/- 0.075V
•全差分时钟输入（ CK ， CK ）操作
•差分数据选通（ DQS ， DQS ）
•片上DLL对齐DQ ， DQS和DQS与CK过渡
过渡
• DM口罩写入数据中的上升沿和下降沿
数据选通的边缘
•所有的地址和控制输入数据以外，
数据选通信号和数据锁存面具上
在时钟的上升沿
•可编程CAS延时5 ， 6 ， 7 ， 8 ， 9 ， 10 ， 11 ， 12 ， 13
14支持
•可编程附加延迟是0，CL -1和CL -2
支持
•可编程CAS写入延迟（ CWL ） = 5 ， 6 ， 7 ， 8
•可编程突发长度4/8既蚕食
顺序和交错模式
• BL的飞行开关
• 8banks
•平均更新周期（温度上限
0
o
C~ 95
o
C)
- 7.8微秒的
0
o
C ~ 85
o
C
- 3.9
μs的85
o
C ~ 95
o
C
商业级温度（
0
o
C ~ 85
o
C)
工业温度（
-40
o
C ~ 95
o
C)
• JEDEC标准78ball FBGA （ X8 ） ， 96ball FBGA （ X16 ）
•选择EMRS驱动力
•动态片上终端支持
•异步复位引脚支持
• ZQ校准支持
• TDQS （终止数据选通）支持（ X8只）
•写Levelization支持
• 8位预取
