型号：FDS6930A

品牌：仙童

厂家：FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]

描述：Dual N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing

类别：分离式半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：PowerTrench®

FET 型：2 个 N 沟道（双）

FET 特点：逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss)：30V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.5A

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：40 毫欧 @ 5.5A，10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs：7nC @ 5V

输入电容 (Ciss) @ Vds：460pF @ 15V

功率 - 最大：900mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SOICN

包装：带卷 (TR)

其它名称：FDS6930ATR

标准包装：2,500

封装：SOP-8

数量：15000

单价：面议

备注：FDS6930A这些N沟道逻辑电平MOSFET是利用飞兆半导体的制作这一直是先进的PowerTrench工艺特别是针对减少导通状态性，但保持出色的开关性能。这些装置非常适用于低电压和电池供电的应用中，低线功率损耗和快速开关是必需的。

深圳市勤思达科技有限公司主营场效应管（MOSFET 管），授权分销仙童系列，现货库存热卖FDS6930A，正品原装

品质保证，大量现货热卖，欢迎广大客户朋友咨询洽谈。

特点

5.5 A， 30 V řDS （ ON）= 0.040Ω@ VGS= 10 VRDS

（ ON）= 0.055Ω@ VGS= 4.5 V.

快速开关速度。

低栅极电荷（典型值5 NC）

高性能沟道技术极低RDS （ ON）

高功率和电流处理能力

深圳市勤思达科技有限公司

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