PSMN6R0-30YL 制造商: NXP
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
商标: NXP Semiconductors
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Id-连续漏极电流: 79 A
Rds On-漏源导通电阻: 6 mOhms
配置: Single Triple Source
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 55 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LFPAK-4
封装: Reel
通道模式: Enhancement
下降时间: 11 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 43 ns
工厂包装数量: 1500
典型关闭延迟时间: 31 ns
