BSM75GB120DN2
产品概述：
采用IS4 ( 34mm )封装方式。
制造商: Eupec/Infineon
产品种类: IGBT模块
配置: Dual
集电极—射极击穿电压: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
集电极最大连续电流Ic: 75 A
栅极—射极漏泄电流: 320 nA
功率耗散: 625 W
封装/箱体: IS4 ( 34mm )
集电极—发射极最大电压VCEO: 1200 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
最大工作温度: + 150 C
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