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IPW65R041CF

2025-8-18 17:43:00
  • IPW65R041CF

数据列表 IPW65R041CFD

产品相片 TO-247-3

标准包装 240

类别 分立半导体产品

家庭 FET - 单

系列 CoolMOS™

包装 管件

FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能 标准

漏源极电压 (Vdss) 650V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时) 68.5A (Tc)

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 41 毫欧 @ 33.1A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 3.3mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 300nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 8400pF @ 100V

功率 - 最大值 500W

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-247-3

供应商器件封装 PG-TO247-3

其它名称 IPW65R041CFDFKSA1

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