制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
商标: Diodes Incorporated
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Id-连续漏极电流: 800 mA
Rds On-漏源导通电阻: 3 Ohms
配置: Dual
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-563-6
封装: Reel
通道模式: Enhancement
Ciss-输入电容: 50 pF
最小工作温度: - 65 C
系列: DMN601V
工厂包装数量: 3000