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IRF1407PBF,分立半导体产品

2025-8-16 10:52:00
  • 深圳市宏世佳电子科技现货库存

数量:6000pcs。

参数:

FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压: (Vdss) 75V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时) 130A (Tc)

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 7.8 毫欧 @ 78A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 250nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss): 5600pF @ 25V

功率 - 最大值: 330W

安装类型: 通孔

封装/外壳:TO-220-3