部分型号示例：
一级分类 二级分类 型号 制造商 描述 库存数量 价格($) 参数
分立式半导体产品 FET - 单 2N7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 库存充足
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:TrenchFET®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:300mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.6nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):30pF @ 25V,功率 - 最大值:350mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:TO-236
分立式半导体产品 FET - 单 2N7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 库存充足
包装:剪切带 (CT)可替代的包装,系列:TrenchFET®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:300mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.6nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):30pF @ 25V,功率 - 最大值:350mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:TO-236
分立式半导体产品 FET - 单 2N7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 库存充足
包装:Digi-Reel®可替代的包装,系列:TrenchFET®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:300mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.6nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):30pF @ 25V,功率 - 最大值:350mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:TO-236
分立式半导体产品 FET - 单 2N7002-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 库存充足
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:115mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 25V,功率 - 最大值:200mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:TO-236
分立式半导体产品 FET - 单 2N7002-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 库存充足
包装:剪切带 (CT)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:115mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 25V,功率 - 最大值:200mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:TO-236
分立式半导体产品 FET - 单 2N7002-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 库存充足
包装:Digi-Reel®可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:115mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 25V,功率 - 最大值:200mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:TO-236
分立式半导体产品 FET - 单 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 库存充足
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:TrenchFET®,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:3.1A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):405pF @ 10V,功率 - 最大值:1.6W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）
分立式半导体产品 FET - 单 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 库存充足
包装:剪切带 (CT)可替代的包装,系列:TrenchFET®,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:3.1A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):405pF @ 10V,功率 - 最大值:1.6W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）
分立式半导体产品 FET - 单 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 库存充足
包装:Digi-Reel®可替代的包装,系列:TrenchFET®,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:3.1A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):405pF @ 10V,功率 - 最大值:1.6W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）
PS：示例型号仅为实际库存型号的一小部分，如您有其他型号需求，请联系我们400-999-6765。谢谢！
