中国，2013年12月13日 ——意法半导体的先进的V系列600V沟栅式场截止型（trench-gate field-stop）IGBT 具有平顺、无拖尾电流的关机特性，饱和电压更是低达1.8V，最大工作结温高达175°C，这些优点将有助于开发人员提高系统能效和开关频率，并简化散热设计和电磁干扰(EMI) 设计。
通过消除IGBT固有的关断拖尾电流特性，意法半导体的新器件提高了开关能效与最大开关频率。新产品的裸片非常薄，这有助于提高开关和散热性能。意法半导体独有的优化的沟栅式（trench-gate）场截止型（field-stop）工艺降低了热阻，最高结温高达175°C，同时实现了对饱和电压等参数的严格控制，允许多个IGBT安全并联，提高电流密度和通态能效。
全新的IGBT非常稳定，具有很高的Dv/dt耐压能力。与IGBT封装在一起的超高速软恢复（soft-recovery）二极管可最大限度降低导通能耗。针对成本更敏感的应用，意法半导体还推出了可无二极管的型号供选择。
意法半导体的20A至80A V系列IGBT现已投产，采用TO-3P、TO-3PF、TO-220、TO-220FP、TO-247或D2PAK封装。
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东京—东芝公司（TOKYO：6502）今天宣布推出可支持两条高速数据传输线路的小尺寸静电保护二极管“DF4D7M2G”。批量生产将于12月开始。
静电保护二极管旨在从I/O端口吸收静电放电能量。
该二极管使终端电容降至0.2pF（Typ.），可在移动设备的USB3.0等高速接口和射频天线的低噪音放大器中实现静电保护。采用小型WCSP4封装使封装尺寸与同类产品[1]相比缩小了50%，这有助于高密度安装。
新产品的主要特性
终端电容的减少可支持应用于高速传输线路：Ct=0.2pF （typ.）
采用小型封装可支持高密度安装：WCSP4（0.79 × 0.79mm，0.4mm间距）
符合抗静电放电测试IEC61000-4-2标准：±（接触放电），±15kV（空气放电）
