制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 否
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.4 V
在25 C的连续集电极电流: 45 A
栅极—射极漏泄电流: 300 nA
功率耗散: 230 W
最大工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: EconoPIM3
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 500
