型号：IRFZ34N
品牌：IR
描述 MOSFET N-CH 55V 29A TO-220AB
标准包装：50
类别：离式半导体产品
家庭：T - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25°： 29A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°：C 40 毫欧 @ 16A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs ：4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：700pF @ 25V
功率 - 最大：68W
安装类型：孔
封装/外壳：O-220-3
供应商设备封装：TO-220AB
包装：管件
其它名称：IRFZ34NPBF
封装：TO-220
批号：2013+
数量：70000
单价：面议
备注：深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列集成电路，公司现货供应IRFZ34N绝对正品原装公司大量库存，欢迎广大客户朋友咨询洽谈。
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