场效应管 MOSFET P 6-TSOP
晶体管极性: P沟道
电流, Id 连续: -1.6A
漏源电压, Vds: -30V
在电阻RDS（上）: 200mohm
电压 @ Rds测量: -10V
阈值电压, Vgs 典型值: -1V
功耗 Pd: 1.7W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
晶体管封装类型: TSOP
针脚数: 6
MSL: MSL 2 - 1年
SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013)
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
漏极电流, Id 最大值: -2.3A
电压 Vgs @ Rds on 测量: -10V
电压, Vds 典型值: -30V
电压, Vgs 最高: -1V
表面安装器件: SMD
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