场效应管 MOSFET P 逻辑电平 SOT-23
晶体管极性: P沟道
电流, Id 连续: 600mA
漏源电压, Vds: 20V
在电阻RDS（上）: 600mohm
电�� @ Rds测量: -4.5V
阈值电压, Vgs 典型值: -1.5V
功耗 Pd: 400mW
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
晶体管封装类型: SOT-23
针脚数: 3
MSL: -
SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013)
SMD标号: 1C
器件标记: IRLML6302
外部宽度: 3.05mm
外部深度: 2.5mm
外部长度/高度: 1.12mm
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
带子宽度: 8mm
晶体管数: 1
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏极电流, Id 最大值: -780mA
电压 Vgs @ Rds on 测量: -4.5V
电压, Vds 典型值: -20V
电压, Vgs 最高: -12V
电流, Idm 脉冲: 34A
阈值电压, Vgs th 最高: -1.4V
