2N7002 特点
2N7002，采用SOT-23封装方式。
晶体管类型:N沟道MOSFET
漏极电流Id:280mA(最大值)
电压Vds 最大值:60V
电压VGS(th):2.1V(最大值)
功耗Pd:0.2W
工作温度范围:-55℃to 150℃
封装类型:SOT-23
引脚数:3
SMD标号:702
晶体管数:1
漏极极限连续电流ID: 115mA
漏极极限脉冲电流Idm: 800mA
漏极通态电流ID(ON)：1.43A（典型值）
安装方式:贴片
通态电阻Rds(on):5ohm@Vgs = 10V
通态电阻Rds(on):5.3ohm@Vgs = 4.5V
阈值电压Vgs(th):2.1V(典型值)
阈值电压Vgs(th):2.5V(最大值)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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