型号:IRFB4110PBF
品牌:IR
封装:TO-220
参数说明:
标准包装:50个
类别:分离半导体
FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET功能:逻辑电平门
漏源极电压:100V
电流连续漏极:120A
不同ID,VGS时的RDS ON最大值:4.5毫欧@75A,10V
不同ID时的VGS最大值:4V@250UA
不同VGS时的栅极电荷:210NC@10V
不同VDS时的输入电容:9620PF@50V
功率最大值:370V
安装类型:通孔
全部进口原装,假一赔十。
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