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数据列表 IRFBE30S,L
产品相片 TO-263
产品目录绘图 IR(F,L,Z) Series Side 1
IR(F,L,Z) Series Side 2
标准包装 1,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
包装 管件
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 800V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 4.1A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 78nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1300pF @ 25V
功率 - 最大值 125W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
产品目录页面 1527 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRFBE30SPBF
