FDD5614P

数据列表 FDD5614P

产品相片 TO-263

产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing

标准包装 2,500

类别 分立半导体产品

家庭 FET - 单

系列 PowerTrench®

包装 带卷 (TR)

FET 类型 MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能 逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss) 60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 15A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 4.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 24nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 759pF @ 30V

功率 - 最大值 1.6W

安装类型 表面贴装

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装 TO-252

朱先生 0755-28485344 13620209441 QQ2298140313