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INA819ID	文件：2.2706 Mbytes Page：45 Pages	丝印：INA819；Package：SOIC；INA819 35-關V Offset, 8-nV/?숰z Noise, Low-Power, Precision Instrumentation Amplifier 文件：2.2706 Mbytes 页数：45 Pages	TI 德州仪器	TI
INA819ID	文件：1.69297 Mbytes Page：43 Pages	丝印：INA819；Package：SOIC；35-關V Offset, 8-nV/?숰z Noise, Low-Power Precision Instrumentation Amplifier 文件：1.69297 Mbytes 页数：43 Pages	TI 德州仪器	TI
INA819ID	文件：1.87616 Mbytes Page：44 Pages	丝印：INA819；Package：SOIC；35-關V Offset, 8-nV/?숰z Noise, Low-Power, Precision Instrumentation Amplifier 文件：1.87616 Mbytes 页数：44 Pages	TI 德州仪器	TI
INA819IDR	文件：1.87616 Mbytes Page：44 Pages	丝印：INA819；Package：SOIC；35-關V Offset, 8-nV/?숰z Noise, Low-Power, Precision Instrumentation Amplifier 文件：1.87616 Mbytes 页数：44 Pages	TI 德州仪器	TI
INA819IDR	文件：1.69297 Mbytes Page：43 Pages	丝印：INA819；Package：SOIC；35-關V Offset, 8-nV/?숰z Noise, Low-Power Precision Instrumentation Amplifier 文件：1.69297 Mbytes 页数：43 Pages	TI 德州仪器	TI
INA819IDR	文件：2.2706 Mbytes Page：45 Pages	丝印：INA819；Package：SOIC；INA819 35-關V Offset, 8-nV/?숰z Noise, Low-Power, Precision Instrumentation Amplifier 文件：2.2706 Mbytes 页数：45 Pages	TI 德州仪器	TI
INA819	文件：300 bytes Page：1 Pages	2MHz、35μV 失调电压、8nV/√Hz 噪声、350µA 功耗、精密（增益引脚 2、3）仪表放大器 INA819 是一款高精度仪表放大器，可提供低功耗并且可在极宽的单电源或双电源电压范围内工作。可通过单个外部电阻器在 1 到 10,000 范围内设置任意增益。由于采用超 β 输入晶体管（这些晶体管可提供极低的输入失调电压、失调电压漂移、输入偏置电流、输入电压和电流噪声），该器件可提供出色的精度。附加电路可以为输入提供高达 ±60V 的过压保护。\n\nINA819 经过优化，可提供较高的共模抑制比。当 G = 1 时，整个输入共模范围内共模抑制比超过 90dB。根据设计，此器件采用低电压运行，由 4.5V 单电源和高达 ±18V 的双电源供电。 \n\nINA819 采用 8 引脚 SOIC • 低失调电压：10µV（典型值）、35µV（最大值）\n• 增益漂移：5ppm/°C (G = 1)、35ppm/°C (G > 1)（最大值）\n• 噪声：8nV/√Hz\n• 带宽：2MHz (G = 1)、270kHz (G = 100)\n• 采用 1nF 容性负载时保持稳定\n• 输入保护电压高达 ±60V\n• 共模抑制：110dB，G = 10（最小值） \n• 电源抑制：110dB，G = 1（最小值）\n• 电源电流：385µA（最大值）\n• 电源电压范围： \n• 单电源：4.5V 至 36V\n• 双电源：±2.25V 至 ±18V\n \n• 额定温度范围：–40°;	TI 德州仪器	TI
INA819_V01	文件：2.95284 Mbytes Page：51 Pages	INA819 35-μV Offset, 8-nV/√Hz Noise, Low-Power, Precision Instrumentation Amplifier 1 Features • Low offset voltage: 10 μV (typ), 35 μV (max) • Gain drift: 5 ppm/°C (G = 1), 35 ppm/°C (G > 1) (max) • Noise: 8 nV/√ Hz • Bandwidth: 2 MHz (G = 1), 270 kHz (G = 100) • Stable with 1-nF capacitive loads • Inputs protected up to ±60 V • Common-mode rejection: 110 dB, G = 10 (min 文件：2.95284 Mbytes 页数：51 Pages	TI 德州仪器	TI
INA819IDGKR	文件：2.95284 Mbytes Page：51 Pages	丝印：1X3Q；Package：VSSOP(DGK)；INA819 35-μV Offset, 8-nV/√Hz Noise, Low-Power, Precision Instrumentation Amplifier 1 Features • Low offset voltage: 10 μV (typ), 35 μV (max) • Gain drift: 5 ppm/°C (G = 1), 35 ppm/°C (G > 1) (max) • Noise: 8 nV/√ Hz • Bandwidth: 2 MHz (G = 1), 270 kHz (G = 100) • Stable with 1-nF capacitive loads • Inputs protected up to ±60 V • Common-mode rejection: 110 dB, G = 10 (min 文件：2.95284 Mbytes 页数：51 Pages	TI 德州仪器	TI
INA819IDGKR.B	文件：2.95284 Mbytes Page：51 Pages	丝印：1X3Q；Package：VSSOP(DGK)；INA819 35-μV Offset, 8-nV/√Hz Noise, Low-Power, Precision Instrumentation Amplifier 1 Features • Low offset voltage: 10 μV (typ), 35 μV (max) • Gain drift: 5 ppm/°C (G = 1), 35 ppm/°C (G > 1) (max) • Noise: 8 nV/√ Hz • Bandwidth: 2 MHz (G = 1), 270 kHz (G = 100) • Stable with 1-nF capacitive loads • Inputs protected up to ±60 V • Common-mode rejection: 110 dB, G = 10 (min 文件：2.95284 Mbytes 页数：51 Pages	TI 德州仪器	TI

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技术参数

Vs (Max) (V)：
36
Vs (Min) (V)：
4.5
Input offset (+/-) (Max) (uV)：
35
Gain (Min) (V/V)：
1
Gain (Max) (V/V)：
10000
Noise at 1 kHz (Typ) (nV/rt (Hz))：
8
Features：
Super-beta
CMRR (Min) (dB)：
110
Input offset drift (+/-) (Max) (uV/C)：
0.4
Input bias current (+/-) (Max) (nA)：
0.5
Iq (Typ) (mA)：
0.35
Bandwidth at min gain (Typ) (MHz)：
2
Gain error (+/-) (Max) (%)：
0.15
Operating temperature range (C)：
-40 to 125
Type：
Resistor
Output swing headroom (to negative supply) (Typ) (V)：
0.15
Output swing headroom (to positive supply) (Typ) (V)：
-0.15
Input common mode headroom (to negative supply) (Typ) (V)：
2
Input common mode headroom (to positive supply) (Typ) (V)：
-2
Noise at 0.1 Hz-10 Hz (Typ) (uVpp)：
0.19
Gain non-linearity (+/-) (Max) (%)：
0.0015

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市恒科翔业电子有限公司	INA819	TI德州仪器	22+	SOP8	24000	原装正品现货,实单可谈,量大价优	询价
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