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INA321EASLASH250G4	文件：609.4 Kbytes Page：25 Pages	丝印：C21；Package：VSSOP；microPower, Single-Supply, CMOS Instrumentation Amplifier FEATURES LOW QUIESCENT CURRENT: 40μA/channel Shut Down: 文件：609.4 Kbytes 页数：25 Pages	TI 德州仪器	TI
INA321EASLASH2K5	文件：609.4 Kbytes Page：25 Pages	丝印：C21；Package：VSSOP；microPower, Single-Supply, CMOS Instrumentation Amplifier FEATURES LOW QUIESCENT CURRENT: 40μA/channel Shut Down: 文件：609.4 Kbytes 页数：25 Pages	TI 德州仪器	TI
INA321EASLASH2K5.B	文件：609.4 Kbytes Page：25 Pages	丝印：C21；Package：VSSOP；microPower, Single-Supply, CMOS Instrumentation Amplifier FEATURES LOW QUIESCENT CURRENT: 40μA/channel Shut Down: 文件：609.4 Kbytes 页数：25 Pages	TI 德州仪器	TI
INA321ESLASH250	文件：609.4 Kbytes Page：25 Pages	丝印：C21；Package：VSSOP；microPower, Single-Supply, CMOS Instrumentation Amplifier FEATURES LOW QUIESCENT CURRENT: 40μA/channel Shut Down: 文件：609.4 Kbytes 页数：25 Pages	TI 德州仪器	TI
INA321ESLASH250.B	文件：609.4 Kbytes Page：25 Pages	丝印：C21；Package：VSSOP；microPower, Single-Supply, CMOS Instrumentation Amplifier FEATURES LOW QUIESCENT CURRENT: 40μA/channel Shut Down: 文件：609.4 Kbytes 页数：25 Pages	TI 德州仪器	TI
INA321ESLASH250G4	文件：609.4 Kbytes Page：25 Pages	丝印：C21；Package：VSSOP；microPower, Single-Supply, CMOS Instrumentation Amplifier FEATURES LOW QUIESCENT CURRENT: 40μA/channel Shut Down: 文件：609.4 Kbytes 页数：25 Pages	TI 德州仪器	TI
INA321ESLASH2K5	文件：609.4 Kbytes Page：25 Pages	丝印：C21；Package：VSSOP；microPower, Single-Supply, CMOS Instrumentation Amplifier FEATURES LOW QUIESCENT CURRENT: 40μA/channel Shut Down: 文件：609.4 Kbytes 页数：25 Pages	TI 德州仪器	TI
INA321ESLASH2K5.B	文件：609.4 Kbytes Page：25 Pages	丝印：C21；Package：VSSOP；microPower, Single-Supply, CMOS Instrumentation Amplifier FEATURES LOW QUIESCENT CURRENT: 40μA/channel Shut Down: 文件：609.4 Kbytes 页数：25 Pages	TI 德州仪器	TI
INA321E/250	文件：325.8 Kbytes Page：18 Pages	microPower, Single-Supply, CMOS Instrumentation Amplifier 文件：325.8 Kbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI
INA321E/250	文件：500.47 Kbytes Page：21 Pages	microPower, Single-Supply, CMOS Instrumentation Amplifier 文件：500.47 Kbytes 页数：21 Pages	BURR-BROWN	BURR-BROWN

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技术参数

Vs (Max) (V)：
5.5
Vs (Min) (V)：
2.5
Input offset (+/-) (Max) (uV)：
500
Gain (Min) (V/V)：
5
Gain (Max) (V/V)：
1000
Noise at 1 kHz (Typ) (nV/rt (Hz))：
100
Features：
Cost Optimized
CMRR (Min) (dB)：
90
Input bias current (+/-) (Max) (nA)：
0.01
Iq (Typ) (mA)：
0.04
Bandwidth at min gain (Typ) (MHz)：
0.5
Gain error (+/-) (Max) (%)：
0.1
Operating temperature range (C)：
-55 to 125
Type：
Resistor
Output swing headroom (to negative supply) (Typ) (V)：
0.025
Output swing headroom (to positive supply) (Typ) (V)：
-0.025
Input common mode headroom (to negative supply) (Typ) (V)：
0.55
Input common mode headroom (to positive supply) (Typ) (V)：
-1.7
Noise at 0.1 Hz-10 Hz (Typ) (uVpp)：
20
Gain non-linearity (+/-) (Max) (%)：
0.01

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多INA321供应商更新时间2025-10-13 17:06:00

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