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INA2128U1G4	文件：2.17853 Mbytes Page：28 Pages	丝印：INA2128U；Package：SOIC(DW)；INA2128 Dual, Low-Power Instrumentation Amplifier 1 Features • Low offset voltage: 50 μV max • Low drift: 0.5 μV/°C max • Low input bias current: 5 nA max • Input voltage noise: 8 nV/√Hz at 1 kHz • High bandwidth: 1.3 MHz at G=1 V/V • High CMR: 120 dB min • Inputs protected to ±40 V • Wide supply range: ±2.25 V to ±18 V • Low quiescent c 文件：2.17853 Mbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
INA2128U1G4	文件：2.17853 Mbytes Page：28 Pages	丝印：INA2128U；Package：SOIC(DW)；INA2128 Dual, Low-Power Instrumentation Amplifier 1 Features • Low offset voltage: 50 μV max • Low drift: 0.5 μV/°C max • Low input bias current: 5 nA max • Input voltage noise: 8 nV/√Hz at 1 kHz • High bandwidth: 1.3 MHz at G=1 V/V • High CMR: 120 dB min • Inputs protected to ±40 V • Wide supply range: ±2.25 V to ±18 V • Low quiescent c 文件：2.17853 Mbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
INA2128U1G4.B	文件：2.17853 Mbytes Page：28 Pages	丝印：INA2128U；Package：SOIC(DW)；INA2128 Dual, Low-Power Instrumentation Amplifier 1 Features • Low offset voltage: 50 μV max • Low drift: 0.5 μV/°C max • Low input bias current: 5 nA max • Input voltage noise: 8 nV/√Hz at 1 kHz • High bandwidth: 1.3 MHz at G=1 V/V • High CMR: 120 dB min • Inputs protected to ±40 V • Wide supply range: ±2.25 V to ±18 V • Low quiescent c 文件：2.17853 Mbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
INA2128U1G4.B	文件：2.17853 Mbytes Page：28 Pages	丝印：INA2128U；Package：SOIC(DW)；INA2128 Dual, Low-Power Instrumentation Amplifier 1 Features • Low offset voltage: 50 μV max • Low drift: 0.5 μV/°C max • Low input bias current: 5 nA max • Input voltage noise: 8 nV/√Hz at 1 kHz • High bandwidth: 1.3 MHz at G=1 V/V • High CMR: 120 dB min • Inputs protected to ±40 V • Wide supply range: ±2.25 V to ±18 V • Low quiescent c 文件：2.17853 Mbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
INA2128UA	文件：2.17853 Mbytes Page：28 Pages	INA2128 Dual, Low-Power Instrumentation Amplifier 1 Features • Low offset voltage: 50 μV max • Low drift: 0.5 μV/°C max • Low input bias current: 5 nA max • Input voltage noise: 8 nV/√Hz at 1 kHz • High bandwidth: 1.3 MHz at G=1 V/V • High CMR: 120 dB min • Inputs protected to ±40 V • Wide supply range: ±2.25 V to ±18 V • Low quiescent c 文件：2.17853 Mbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
INA2128UA.B	文件：2.17853 Mbytes Page：28 Pages	INA2128 Dual, Low-Power Instrumentation Amplifier 1 Features • Low offset voltage: 50 μV max • Low drift: 0.5 μV/°C max • Low input bias current: 5 nA max • Input voltage noise: 8 nV/√Hz at 1 kHz • High bandwidth: 1.3 MHz at G=1 V/V • High CMR: 120 dB min • Inputs protected to ±40 V • Wide supply range: ±2.25 V to ±18 V • Low quiescent c 文件：2.17853 Mbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
INA2128UAG4	文件：2.17853 Mbytes Page：28 Pages	丝印：INA2128UA；Package：SOIC(DW)；INA2128 Dual, Low-Power Instrumentation Amplifier 1 Features • Low offset voltage: 50 μV max • Low drift: 0.5 μV/°C max • Low input bias current: 5 nA max • Input voltage noise: 8 nV/√Hz at 1 kHz • High bandwidth: 1.3 MHz at G=1 V/V • High CMR: 120 dB min • Inputs protected to ±40 V • Wide supply range: ±2.25 V to ±18 V • Low quiescent c 文件：2.17853 Mbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
INA2128UAG4.B	文件：2.17853 Mbytes Page：28 Pages	丝印：INA2128UA；Package：SOIC(DW)；INA2128 Dual, Low-Power Instrumentation Amplifier 1 Features • Low offset voltage: 50 μV max • Low drift: 0.5 μV/°C max • Low input bias current: 5 nA max • Input voltage noise: 8 nV/√Hz at 1 kHz • High bandwidth: 1.3 MHz at G=1 V/V • High CMR: 120 dB min • Inputs protected to ±40 V • Wide supply range: ±2.25 V to ±18 V • Low quiescent c 文件：2.17853 Mbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
INA2128UASLASH1K	文件：2.17853 Mbytes Page：28 Pages	INA2128 Dual, Low-Power Instrumentation Amplifier 1 Features • Low offset voltage: 50 μV max • Low drift: 0.5 μV/°C max • Low input bias current: 5 nA max • Input voltage noise: 8 nV/√Hz at 1 kHz • High bandwidth: 1.3 MHz at G=1 V/V • High CMR: 120 dB min • Inputs protected to ±40 V • Wide supply range: ±2.25 V to ±18 V • Low quiescent c 文件：2.17853 Mbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
INA2128UASLASH1K.B	文件：2.17853 Mbytes Page：28 Pages	INA2128 Dual, Low-Power Instrumentation Amplifier 1 Features • Low offset voltage: 50 μV max • Low drift: 0.5 μV/°C max • Low input bias current: 5 nA max • Input voltage noise: 8 nV/√Hz at 1 kHz • High bandwidth: 1.3 MHz at G=1 V/V • High CMR: 120 dB min • Inputs protected to ±40 V • Wide supply range: ±2.25 V to ±18 V • Low quiescent c 文件：2.17853 Mbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI

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技术参数

Vs (Max) (V)：
36
Vs (Min) (V)：
4.5
Input offset (+/-) (Max) (uV)：
50
Gain (Min) (V/V)：
1
Gain (Max) (V/V)：
10000
Noise at 1 kHz (Typ) (nV/rt (Hz))：
8
Features：
Current Feedback
CMRR (Min) (dB)：
120
Input offset drift (+/-) (Max) (uV/C)：
0.5
Input bias current (+/-) (Max) (nA)：
5
Iq (Typ) (mA)：
0.7
Bandwidth at min gain (Typ) (MHz)：
1.3
Gain error (+/-) (Max) (%)：
0.5
Operating temperature range (C)：
-40 to 85
Type：
Resistor
Output swing headroom (to negative supply) (Typ) (V)：
0.8
Output swing headroom (to positive supply) (Typ) (V)：
-0.9
Input common mode headroom (to negative supply) (Typ) (V)：
1.7
Input common mode headroom (to positive supply) (Typ) (V)：
-1.4
Noise at 0.1 Hz-10 Hz (Typ) (uVpp)：
0.2
Gain non-linearity (+/-) (Max) (%)：
0.002

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