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INA122	文件：343.87 Kbytes Page：17 Pages	Wide-Temperature, Precision INSTRUMENTATION AMPLIFIER FEATURES PRECISION LOW OFFSET: 100μV (max) LOW OFFSET DRIFT: 0.4μV/°C (max) EXCELLENT LONG-TERM STABILITY VERY-LOW 1/f NOISE SMALL SIZE microPACKAGE: MSOP-8, MSOP-10 LOW COST APPLICATIONS LOW-LEVEL TRANSDUCER AMPLIFIER FOR BRIDGES, LOAD CELLS, THERMOCOUPLES WIDE DYNAMIC RANGE SENSOR 文件：343.87 Kbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI
INA122	文件：885.99 Kbytes Page：28 Pages	Precision, Rail-to-Rail I/O INSTRUMENTATION AMPLIFIER FEATURES PRECISION LOW OFFSET: 100μV (max) LOW OFFSET DRIFT: 0.4μV/°C (max) EXCELLENT LONG-TERM STABILITY VERY-LOW 1/f NOISE TRUE RAIL-TO-RAIL I/O INPUT COMMON-MODE RANGE: 20mV Below Negative Rail to 100mV Above Positive Rail WIDE OUTPUT SWING: Within 10mV of Rails SUPPLY RANGE: Single 文件：885.99 Kbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
INA122	文件：1.32153 Mbytes Page：28 Pages	INA122 Single Supply, Micropower Instrumentation Amplifier 1 Features • Low quiescent current: 60μA • Wide power supply range: 2.2V to 36V • Rail-to-rail output swing • Low offset voltage: 250μV maximum • Low offset drift: 3μV/°C maximum • Low noise: 60nV/√Hz • Low input bias current: 25nA maximum • Packages – 4.9mm × 6mm SOIC – 9.81mm × 9.43mm 文件：1.32153 Mbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
INA122	文件：223.48 Kbytes Page：9 Pages	Single Supply, MicroPower INSTRUMENTATION AMPLIFIER 文件：223.48 Kbytes 页数：9 Pages	BURR-BROWN	BURR-BROWN
INA122	文件：300 bytes Page：1 Pages	单电源、微功耗仪表放大器 The INA122 is a precision instrumentation amplifier for accurate, low noise differential signal acquisition. Its two-op-amp design provides excellent performance with very low quiescent current, and is ideal for portable instrumentation and data acquisition systems.\n\nThe INA122 can be operated wit • LOW QUIESCENT CURRENT: 60µA\n• WIDE POWER SUPPLY RANGE \n• Single Supply: 2.2V to 36V\n• Dual Supply: -0.9/+1.3V to ±18V\n \n• COMMON-MODE RANGE to (V-)-0.1V\n• RAIL-TO-RAIL OUTPUT SWING\n• LOW OFFSET VOLTAGE: 250µV max\n• LOW OFFSET DRIFT: 3µV/°C max\n• LOW NOISE: 60nV/sqrt(Hz)\n• LOW INPUT BIAS ;	TI 德州仪器	TI
INA122_V01	文件：1.32153 Mbytes Page：28 Pages	INA122 Single Supply, Micropower Instrumentation Amplifier 1 Features • Low quiescent current: 60μA • Wide power supply range: 2.2V to 36V • Rail-to-rail output swing • Low offset voltage: 250μV maximum • Low offset drift: 3μV/°C maximum • Low noise: 60nV/√Hz • Low input bias current: 25nA maximum • Packages – 4.9mm × 6mm SOIC – 9.81mm × 9.43mm 文件：1.32153 Mbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
INA122P	文件：1.32153 Mbytes Page：28 Pages	丝印：INA122P；Package：PDIP(P)；INA122 Single Supply, Micropower Instrumentation Amplifier 1 Features • Low quiescent current: 60μA • Wide power supply range: 2.2V to 36V • Rail-to-rail output swing • Low offset voltage: 250μV maximum • Low offset drift: 3μV/°C maximum • Low noise: 60nV/√Hz • Low input bias current: 25nA maximum • Packages – 4.9mm × 6mm SOIC – 9.81mm × 9.43mm 文件：1.32153 Mbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
INA122P.A	文件：1.32153 Mbytes Page：28 Pages	丝印：INA122P；Package：PDIP(P)；INA122 Single Supply, Micropower Instrumentation Amplifier 1 Features • Low quiescent current: 60μA • Wide power supply range: 2.2V to 36V • Rail-to-rail output swing • Low offset voltage: 250μV maximum • Low offset drift: 3μV/°C maximum • Low noise: 60nV/√Hz • Low input bias current: 25nA maximum • Packages – 4.9mm × 6mm SOIC – 9.81mm × 9.43mm 文件：1.32153 Mbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
INA122PA	文件：1.32153 Mbytes Page：28 Pages	丝印：INA122PA；Package：PDIP(P)；INA122 Single Supply, Micropower Instrumentation Amplifier 1 Features • Low quiescent current: 60μA • Wide power supply range: 2.2V to 36V • Rail-to-rail output swing • Low offset voltage: 250μV maximum • Low offset drift: 3μV/°C maximum • Low noise: 60nV/√Hz • Low input bias current: 25nA maximum • Packages – 4.9mm × 6mm SOIC – 9.81mm × 9.43mm 文件：1.32153 Mbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
INA122PA.A	文件：1.32153 Mbytes Page：28 Pages	丝印：INA122PA；Package：PDIP(P)；INA122 Single Supply, Micropower Instrumentation Amplifier 1 Features • Low quiescent current: 60μA • Wide power supply range: 2.2V to 36V • Rail-to-rail output swing • Low offset voltage: 250μV maximum • Low offset drift: 3μV/°C maximum • Low noise: 60nV/√Hz • Low input bias current: 25nA maximum • Packages – 4.9mm × 6mm SOIC – 9.81mm × 9.43mm 文件：1.32153 Mbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI

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技术参数

Vs (Max) (V)：
36
Vs (Min) (V)：
2.2
Input offset (+/-) (Max) (uV)：
250
Gain (Min) (V/V)：
5
Gain (Max) (V/V)：
10000
Noise at 1 kHz (Typ) (nV/rt (Hz))：
60
Features：
Low power
CMRR (Min) (dB)：
83
Input offset drift (+/-) (Max) (uV/C)：
3
Input bias current (+/-) (Max) (nA)：
25
Iq (Typ) (mA)：
0.06
Bandwidth at min gain (Typ) (MHz)：
0.12
Gain error (+/-) (Max) (%)：
0.5
Operating temperature range (C)：
-40 to 85
Type：
Resistor
Output swing headroom (to negative supply) (Typ) (V)：
0.1
Output swing headroom (to positive supply) (Typ) (V)：
-0.05
Input common mode headroom (to negative supply) (Typ) (V)：
0
Input common mode headroom (to positive supply) (Typ) (V)：
-1.6
Noise at 0.1 Hz-10 Hz (Typ) (uVpp)：
2
Gain non-linearity (+/-) (Max) (%)：
0.002

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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技术参数

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