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IMWH170R450M1中文资料CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1700 V、450 mΩ G1,采用 TO247-3-HCC 封装数据手册Infineon规格书
IMWH170R450M1规格书详情
描述 Description
采用 TO247-3-HCC 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 1700 V、450 mΩ 适用于多种电源转换应用中连接到 600 V 至 1000 V 直流母线电压的单端反激式辅助电源。主要特性包括由反激式控制器直接驱动、无需栅极驱动器 IC、可实现出色热性能的 .XT 互连技术以及可提高可靠性的高爬电距离封装。
特性 Features
• 针对反激式拓扑进行了优化
• 极低的开关损耗
• 12 V / 0 V 栅源电压
• 与反激式控制器兼容
• 栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5 V
• .XT互连技术
• 高爬电间隙封装
应用 Application
• 储能系统
技术参数
- 制造商编号
:IMWH170R450M1
- 生产厂家
:Infineon
- Coss
:19.4 pF
- ID (@ TC=25°C)
:10 A
- RDS (on)(@ Tj = 25°C)
:450 mΩ
- RthJAmax
:62 K/W
- RthJCmax
:1.35 K/W
- VDSmax
:1700 V
- Pin Count
:3 Pins
- Technology
:CoolSiC™ G1
- Qualification
:Industrial


