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IMWH170R450M1中文资料CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1700 V、450 mΩ G1,采用 TO247-3-HCC 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IMWH170R450M1

功能描述

CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1700 V、450 mΩ G1,采用 TO247-3-HCC 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-11-10 19:00:00

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IMWH170R450M1规格书详情

描述 Description

采用 TO247-3-HCC 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 1700 V、450 mΩ 适用于多种电源转换应用中连接到 600 V 至 1000 V 直流母线电压的单端反激式辅助电源。主要特性包括由反激式控制器直接驱动、无需栅极驱动器 IC、可实现出色热性能的 .XT 互连技术以及可提高可靠性的高爬电距离封装。

特性 Features

• 针对反激式拓扑进行了优化

• 极低的开关损耗

• 12 V / 0 V 栅源电压

• 与反激式控制器兼容

• 栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5 V

• .XT互连技术

• 高爬电间隙封装

应用 Application

• 储能系统

技术参数

  • 制造商编号

    :IMWH170R450M1

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Coss

    :19.4 pF

  • ID (@ TC=25°C)

    :10 A

  • RDS (on)(@ Tj = 25°C)

    :450 mΩ

  • RthJAmax

    :62 K/W

  • RthJCmax

    :1.35 K/W

  • VDSmax

    :1700 V

  • Pin Count

    :3 Pins

  • Technology

    :CoolSiC™ G1

  • Qualification

    :Industrial

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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