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IMW65R072M1H	文件：1.45924 Mbytes Page：15 Pages	丝印：65R072M1；Package：PG-TO247-3；650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device 文件：1.45924 Mbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IMW65R072M1HXKSA1	文件：1.45924 Mbytes Page：15 Pages	650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device 文件：1.45924 Mbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IMW65R072M1H	文件：300 bytes Page：1 Pages	CoolSiC ™ MOSFET 650V – SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装，性能可靠且经济高效	Infineon 英飞凌	Infineon
IMW65R072M1HXKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IMW65R072M1HXKSA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TO247-3
VDS max：
650 V
ID @25°C max：
26 A
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
150 °C
Technology：
CoolSiC™ M1H

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IMW65R072M1H供应商更新时间2025-12-5 16:12:00

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