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IRF9530NSPBF	文件：767.31 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology VDSS=-100V RDS(on)=0.20Ω ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NSPBF	文件：767.31 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NSPBF	文件：823.61 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF9530NSTRLPbF	文件：823.61 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF9530NSTRLPBF	文件：767.31 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology VDSS=-100V RDS(on)=0.20Ω ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NSTRR	文件：173.15 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=-14A) VDSS=-100V RDS(on)=0.20Ω ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NSTRRPBF	文件：767.31 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology VDSS=-100V RDS(on)=0.20Ω ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530PBF	文件：566.6 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9530PBF	文件：3.52791 Mbytes Page：7 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530PBF	文件：1.00298 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSwitch •LoadSwitchinHighCurrentApplications •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
IMIC9530CTT
制造商：
Cypress Semiconductor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IMIC9530CTT供应商更新时间2025-5-7 15:11:00

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