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IMBG40R015M2H	文件：1.31638 Mbytes Page：15 Pages	丝印：40R015M2；Package：PG-TO263-7；CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET Features • Ideal for high frequency switching and synchronous rectification • Commutation robust fast body diode with low Qfr • Low RDS(on) dependency on temperature • Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V • Recommended gate driving voltage 0 V to 18 V • .XT interconnection techn 文件：1.31638 Mbytes 页数：15 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IMBG40R015M2H	文件：300 bytes Page：1 Pages	CoolSiC ™ MOSFET 400 V G2，采用 D2PAK-7（TO-263-7）封装，15 mΩ \n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IMT40R015M2H	文件：1.26491 Mbytes Page：15 Pages	CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET Features • Ideal for high frequency switching and synchronous rectification • Commutation robust fast body diode with low Qfr • Low RDS(on) dependency on temperature • Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V • Recommended gate driving voltage 0 V to 18 V • .XT interconnection techn 文件：1.26491 Mbytes 页数：15 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IMC101T-T038	文件：0 bytes Page：0 Pages	MCU	INFINEON/英飞凌上传：深圳市正纳电子有限公司	INFINEON/英飞凌
IMC101TT038XUMA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	Reel	INFINEON 英飞凌上传：北京天阳诚业科贸有限公司	INFINEON

更多IMBG40R015M2H供应商更新时间2026-10-2 15:16:00