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IMB-130	文件：1.93314 Mbytes Page：2 Pages	Intel짰Dual-CoreAtomTMCedarViewProcessorD2550/N2600/N2800	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IQXT-130	文件：676.08 Kbytes Page：2 Pages	TCXOSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IR130CSP	文件：168.35 Kbytes Page：5 Pages	Flipky	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF130	文件：180.59 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,20A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpower,supplies,UPS,ACandDCmotorcontrol,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VGSRatedat±20V ●	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF130	文件：22.11 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF130	文件：56.56 Kbytes Page：7 Pages	14A,100V,0.160Ohm,N-ChannelPowerMOSFET 14A,100V,0.160Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsar	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRF130	文件：147.29 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL(Vdss=100V,Rds(on)=0.18ohm,Id=14A) ProductSummary TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors. Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superior	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF130	文件：211.72 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRF130	文件：106.79 Kbytes Page：3 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORS Features: •RepetitiveAvalancheRatings •Dynamicdv/dtRating •HermeticallySealed •SimpleDriveRequirements •EaseofParalleling	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF130	文件：48.16 Kbytes Page：2 Pages	HighPower,HighSpeedApplications DESCRIPTION •DrainCurrentID=14A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.18Ω(Max) •HighPower,HighSpeedApplications APPLICATIONS •Switchingpowersupplies •UPS •Motorcontrols •Highenergypulsecircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF130	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF130SMD	文件：22.69 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI.RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFE130	文件：17.35 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFE130	文件：201.42 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET®TRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesigners	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFE130	文件：202.47 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFF130	文件：16.62 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF130	文件：161.62 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors 7.0Aand8.0A,60V-100VrDS(on)=0.18Ωand0.25Ω	GESSGE Solid State GE Solid State	GESS
IRFF130	文件：325.05 Kbytes Page：7 Pages	8.0A,100V,0.180Ohm,N-ChannelPowerMOSFET 8.0A,100V,0.180Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsa	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRFF130	文件：150.53 Kbytes Page：3 Pages	8.0A,100V,0.180Ohm,N-ChannelPowerMOSFET 8.0A,100V,0.180Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsa	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFF130	文件：268.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
ILC130ETH
制造商：
Phoenix Contact
功能描述：
Inline Controller with Ethernet

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
天津市博通航睿技术有限公司	ILC131ETH	Phoenix/菲尼克斯	23/24+	2700973	7118	优势特价原装正品全产品线技术支持	询价
北京光敏源科技有限公司	ILC151ETH2700974	菲尼克斯	2021+		500	只做原装，可提供样品	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	ILC1832	IMPALA	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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