IKZA75N65SS5中文资料650 V、75 A IGBT 分立器件，带碳化硅肖特基二极管数据手册Infineon规格书

描述 Description

TRENCHSTOP ™ 5 S5 650 V、75A IGBT 分立器件与全额定 CoolSiC ™肖特基二极管 G6 共同封装在开尔文发射极 TO247-4 封装中。CoolSiC ™混合分立器件能够减少总开关损耗，并显著提高开关频率。开尔文发射极 TO247 4 针封装为栅极发射极控制环路提供了超低电感，进一步提高了开关性能，尤其是在高开关频率下。

特性 Features

• 超低开关损耗

• TRENCHSTOP ™ 5 IGBT

• CoolSiC ™二极管

• 极低的通态损耗

• 基准开关效率*

• *在硬开关拓扑中

• 简化的 PCB 设计

• 优化的封装引脚分配

• 无铅电镀：符合 RoHS 标准

• 符合 JEDEC 47/20/22 标准

应用 Application

• 储能系统

简介

IKZA75N65SS5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IKZA75N65SS5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。