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IKZA50N65RH5中文资料650 V Hybrid CoolSiC™ IGBT Discrete数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
IKZA50N65RH5 |
参数属性 | IKZA50N65RH5 封装/外壳为TO-247-4;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:INDUSTRY 14 |
功能描述 | 650 V Hybrid CoolSiC™ IGBT Discrete |
封装外壳 | TO-247-4 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-24 9:30:00 |
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IKZA50N65RH5规格书详情
特性 Features
优势:
• Highest efficiency
• Increased power density
• Plug & play replacement of the pure silicon devices
• Easy upgrade of existing designs for higher efficiency
• Reduced cooling effort
• Excellent for paralleling
简介
IKZA50N65RH5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IKZA50N65RH5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
IKZA50N65RH5XKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
TrenchStop™ 5
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,50A
- 开关能量:
200µJ(开),180µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
21ns/180ns
- 测试条件:
400V,25A,12 欧姆,15V
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-4
- 供应商器件封装:
PG-TO247-4-3
- 描述:
INDUSTRY 14
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
JEPICO |
23+ |
QFP |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
con |
10000 |
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Cypress Semiconductor |
2025+ |
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INFINEON |
24+ |
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INFINEON |
24+ |
con |
35960 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
25+ |
标准封装 |
8800 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
N/A |
9855 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
25+ |
TO-247-4 |
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