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IKZA75N65EH7中文资料650 V、75 A IGBT,带反并联二极管,采用 TO247-4 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IKZA75N65EH7

功能描述

650 V、75 A IGBT,带反并联二极管,采用 TO247-4 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-1 14:09:00

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IKZA75N65EH7规格书详情

描述 Description

采用 TO247-4 封装技术的硬开关 650 V、75 A TRENCHSTOP ™ IGBT7 H7 分立器件已经开发出来,以满足绿色高效能源应用的需求,同时还比其前几代产品有了显着的改进。

特性 Features

• 得益于我们著名的 TRENCHSTOP ™技术,VCE(sat) 性能出色
• 非常柔软、快速恢复的反并联二极管
• Tj(max) 高达 175°C
• 针对硬开关、两级和三级拓扑进行了优化

应用 Application

• 电动汽车充电

技术参数

  • 制造商编号

    :IKZA75N65EH7

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Eon

    :1.4 mJ

  • IC(@100°) max

    :80 A

  • IC(@25°) max

    :80 A

  • ICpulsmax

    :300 A

  • IFmax

    :80 A

  • IFpulsmax

    :300 A

  • Irrm

    :86.3 A

  • Ptotmax

    :338 W

  • QGate

    :152 nC

  • Qrr

    :4500 nC

  • RGint

    :0 Ω

  • RG

    :10 Ω

  • td(off)

    :223 ns

  • td(on)

    :24 ns

  • tf

    :19 ns

  • tr

    :16 ns

  • VCE(sat)

    :1.6 V

  • VCEmax

    :650 V

  • VF

    :1.65 V

  • VGE(th)

    :3.85 V

  • Package

    :TO-247-4

  • Switching Frequency

    :16 kHz to 100 kHz

  • Technology

    :TRENCHSTOP™ IGBT7

  • Soft Switching

    :No

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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