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IKZ75N65NH5

分立式IGBT; • 极低的控制电感环路\n• 用于驱动器反馈的发射极引脚\n• 与标准 TO-247 封装相同的集电极发射极的爬电距离\n• 与采用相同技术的 TO-247 封装相比,总开关损耗降低 20%\n\n优势:\n• 与标准TO-247相比,系统效率得到提高\n• 高电流条件下的效益增加\n• IGBT在较低的结温度下工作\n• 过电流条件下的功耗更小\n;

为了进一步提高 TrenchStop ™5IGBT 技术的出色性能,英飞凌在高功率封装中提供了额外的 Kelvin 发射极引脚。TO-247 4 引脚为栅极-发射极控制环路提供了超低电感,使得 TRENCHSTOP™5 IGBT 能够达到同类中较为出色的开关性能。通过采用标准 TO-247 封装体并添加额外第4针来启用 Kelvin 发射极配置。\n

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IKZ75N65NH5

Plug and play replacement of previous generation IGBTs

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IKZ75N65NH5XKSA1

Package:TO-247-4;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT TRENCH 650V 90A TO247-4

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IL0505S

XP-POWER
SIP

XP-POWER

IL0512S

XP-POWER
SIP

XP-POWER

技术参数

  • Technology :

    IGBT TRENCHSTOP™ 5

  • Switching Frequency min max:

    30.0kHz 100.0kHz

  • Package :

    TO-247-4

  • Voltage Class max:

    650.0V

  • IC(@100°) max:

    75.0A

  • IC(@25°) max:

    90.0A

  • ICpuls max:

    300.0A

  • Ptot max:

    395.0W

  • VCE(sat) :

    1.65V 

  • Eon :

    0.88mJ 

  • Eoff(Hard Switching) :

    0.52mJ 

  • td(on) :

    52.0ns 

  • tr :

    19.0ns 

  • td(off) :

    412.0ns 

  • tf :

    19.0ns 

  • QGate :

    166.0nC 

  • IF max:

    95.0A

  • IFpuls max:

    219.0A

  • VF :

    1.6V 

  • Qrr :

    570.0nC 

  • Irrm :

    26.0A 

  • VGE(th)  (min) (max):

    4.0V (3.2V) (4.8V)

  • VCE max:

    650.0V

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