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IKZ75N65NH5 | 分立式IGBT; • 极低的控制电感环路\n• 用于驱动器反馈的发射极引脚\n• 与标准 TO-247 封装相同的集电极发射极的爬电距离\n• 与采用相同技术的 TO-247 封装相比,总开关损耗降低 20%\n\n优势:\n• 与标准TO-247相比,系统效率得到提高\n• 高电流条件下的效益增加\n• IGBT在较低的结温度下工作\n• 过电流条件下的功耗更小\n; 为了进一步提高 TrenchStop ™5IGBT 技术的出色性能,英飞凌在高功率封装中提供了额外的 Kelvin 发射极引脚。TO-247 4 引脚为栅极-发射极控制环路提供了超低电感,使得 TRENCHSTOP™5 IGBT 能够达到同类中较为出色的开关性能。通过采用标准 TO-247 封装体并添加额外第4针来启用 Kelvin 发射极配置。\n | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | |
IKZ75N65NH5 | Plug and play replacement of previous generation IGBTs | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | |
Package:TO-247-4;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT TRENCH 650V 90A TO247-4 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
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技术参数
- Technology :
IGBT TRENCHSTOP™ 5
- Switching Frequency min max:
30.0kHz 100.0kHz
- Package :
TO-247-4
- Voltage Class max:
650.0V
- IC(@100°) max:
75.0A
- IC(@25°) max:
90.0A
- ICpuls max:
300.0A
- Ptot max:
395.0W
- VCE(sat) :
1.65V
- Eon :
0.88mJ
- Eoff(Hard Switching) :
0.52mJ
- td(on) :
52.0ns
- tr :
19.0ns
- td(off) :
412.0ns
- tf :
19.0ns
- QGate :
166.0nC
- IF max:
95.0A
- IFpuls max:
219.0A
- VF :
1.6V
- Qrr :
570.0nC
- Irrm :
26.0A
- VGE(th) (min) (max):
4.0V (3.2V) (4.8V)
- VCE max:
650.0V
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-247-4 |
32360 |
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TO-247-4 |
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INFINEON/英飞凌 |
2019+ |
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INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
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原厂原装,假一罚十 |
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INFINEON/英飞凌 |
TO-247-4 |
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进口原装现货假一赔万力挺实单 |
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INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-247-4 |
18000 |
原装正品 |
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INFINEON |
24+ |
TO-247-4 |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 |
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