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IKZ75N65EL5	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT 英飞凌全新的 L5 低饱和电压（V CE（sat））TRENCHSTOP™IGBT 系列专门针对 50Hz 至 20kHz 的低开关频率进行了优化。创新的 55µ m TrenchStop ™5 薄晶圆技术的载体配置优化允许降低对内部低电平的传导损耗 –30A IGBT 时 1.05V，75A IGBT 时 1.10V。 • 最低饱和电压 V Ce（sat）仅为 1.05V\n• 30A IGBT 在 25°C 时的低开关损耗为 1.6mJ\n• 电气参数热稳定性高 - 只有2％的漂移随着 Tj 从 25°C 增加到 175°C\n• TO-247 4 引脚 Kelvin-发射极封装降低了 20％的开关损耗，因而提高了效率\n\n优势:\n• 50Hz 的效率更高\n• IGBT 寿命更长、可靠性更高\n• 热性能稳定，因此设计可靠性高;	Infineon 英飞凌	Infineon
IKZ75N65EL5	文件：1.86163 Mbytes Page：16 Pages	Best-in-Class tradeoff between conduction and switching losses 文件：1.86163 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKZ75N65EL5XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-4；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 100A TO247-4	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW75N65EL5	文件：1.93148 Mbytes Page：16 Pages	Best-in-Class tradeoff between conduction and switching losses 文件：1.93148 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Product Status：
active and preferred
Green：
yes
Halogen-free：
yes
Switching Frequency min：
0.05 kHz
Switching Frequency max：
20 kHz
Technology：
IGBT TRENCHSTOP™ 5
Voltage Class max：
650 V
IC @ 100° max：
100 A
VCE(sat)：
1.1 V
Qualification：
Industrial
Eon：
1.57 mJ
Eoff Hard Switching：
3.2 mJ
IF max：
90 A
Qrr：
1300 nC
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc094d01c8=650.0
Type：
IGBT + Diode
Package name：
PG-TO247-4
td(on)：
120 ns
tr：
23 ns
td(off)：
275 ns
tf：
50 ns
QGate：
436 nC
IC @ 25° max：
100 A
IFpuls max：
300 A
VF：
1.4 V
Irrm：
37 A
ICpuls max：
300 A
Soft Switching：
no

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