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IKZ75N65EH5XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-4；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BIDW75N65EH5	文件：1.5014 Mbytes Page：13 Pages	BIDW75N65EH5InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT) Features n650V,75A,LowCollector-Emitter SaturationVoltage(VCE(sat)) nNoveltrench-gatefield-stoptechnology nOptimizedforconduction nHigh-speedswitching nMaximumoperatingTj=175°C nRoHScompliant* Applications nSwitched-ModePowerSupplies(SMPS) nUninterruptible	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
IKFW75N65EH5	文件：1.48363 Mbytes Page：15 Pages	TRENCHSTOPTM5AdvancedIsolation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW75N65EH5	文件：1.97029 Mbytes Page：17 Pages	650VDuoPackIGBTandfull-rateddiodeHighspeedseriesfifthgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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更多IKZ75N65EH5供应商更新时间2025-7-17 18:18:00