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IKZ75N65EH5	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT 分立器件为了进一步提高 TrenchStop ™5IGBT 技术的出色性能，英飞凌在高功率封装中提供了额外的 Kelvin 发射极引脚。TO-247 4 引脚为栅极-发射极控制环路提供了超低电感，使得 TRENCHSTOP™5 IGBT 能够达到同类中较为出色的开关性能。通过采用标准 TO-247 封装体并添加额外第4针来启用 Kelvin 发射极配置。 • 极低的控制电感环路\n• 用于驱动器反馈的发射极引脚\n• 与标准 TO-247 封装相同的集电极发射极的爬电距离\n• 与采用相同技术的 TO-247 封装相比，总开关损耗降低 20％\n\n优势:\n• 与标准TO-247相比，系统效率得到提高\n• 高电流条件下的效益增加\n• IGBT在较低的结温度下工作\n• 过电流条件下的功耗更小;	Infineon 英飞凌	Infineon
IKZ75N65EH5	文件：2.173 Mbytes Page：16 Pages	High speed H5 technology offering 文件：2.173 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKZ75N65EH5XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-4；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4	Infineon 英飞凌	Infineon
BIDW75N65EH5	文件：1.5014 Mbytes Page：13 Pages	BIDW75N65EH5 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Features n 650 V, 75 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) n Novel trench-gate field-stop technology n Optimized for conduction n High-speed switching n Maximum operating Tj = 175 °C n RoHS compliant* Applications n Switched-Mode Power Supplies (SMPS) n Uninterruptible 文件：1.5014 Mbytes 页数：13 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
IKFW75N65EH5	文件：1.48363 Mbytes Page：15 Pages	TRENCHSTOPTM 5 Advanced Isolation 文件：1.48363 Mbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW75N65EH5	文件：1.97029 Mbytes Page：17 Pages	650V DuoPack IGBT and full-rated diode High speed series fifth generation 文件：1.97029 Mbytes 页数：17 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Product Status：
active and preferred
Green：
yes
Halogen-free：
yes
Switching Frequency min：
30 kHz
Switching Frequency max：
100 kHz
Technology：
IGBT TRENCHSTOP™ 5
Voltage Class max：
650 V
IC @ 100° max：
75 A
VCE(sat)：
1.65 V
Qualification：
Industrial
Eon：
0.68 mJ
Eoff Hard Switching：
0.43 mJ
IF max：
95 A
Qrr：
1020 nC
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc094d01c8=650.0
Type：
IGBT + Diode
Package name：
PG-TO247-4
td(on)：
26 ns
tr：
11 ns
td(off)：
347 ns
tf：
15 ns
QGate：
166 nC
IC @ 25° max：
90 A
IFpuls max：
300 A
VF：
1.35 V
Irrm：
29 A
ICpuls max：
300 A
Soft Switching：
no

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