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IKZ50N65NH5

分立式IGBT

为了进一步提高 TrenchStop ™5IGBT 技术的出色性能,英飞凌在高功率封装中提供了额外的 Kelvin 发射极引脚。TO-247 4 引脚为栅极-发射极控制环路提供了超低电感,使得 TRENCHSTOP™5 IGBT 能够达到同类中较为出色的开关性能。通过采用标准 TO-247 封装体并添加额外第4针来启用 Kelvin 发射极配置。 • 极低的控制电感环路\n• 与标准 TO-247 封装相同的集电极发射极的爬电距离\n• 与标准TO-247相比,系统效率得到提高\n• IGBT在较低的结温度下工作\n• 过电流条件下的功耗更小;

Infineon

英飞凌

IKZ50N65NH5

650V DuoPack IGBT and diode High speed series fifth generation

文件:2.16829 Mbytes 页数:16 Pages

Infineon

英飞凌

IKZ50N65NH5XKSA1

Package:TO-247-4;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Technology :

    IGBT TRENCHSTOP™ 5

  • Switching Frequency min max:

    30.0kHz 100.0kHz

  • Package :

    TO-247-4

  • Voltage Class max:

    650.0V

  • IC(@100°) max:

    54.0A

  • IC(@25°) max:

    85.0A

  • ICpuls max:

    200.0A

  • Ptot max:

    273.0W

  • VCE(sat) :

    1.65V 

  • Eon :

    0.35mJ 

  • Eoff(Hard Switching) :

    0.2mJ 

  • td(on) :

    22.0ns 

  • tr :

    8.0ns 

  • td(off) :

    252.0ns 

  • tf :

    23.0ns 

  • QGate :

    109.0nC 

  • IF max:

    79.0A

  • IFpuls max:

    200.0A

  • VF :

    1.6V 

  • Qrr :

    490.0nC 

  • Irrm :

    22.0A 

  • VGE(th)  (min) (max):

    4.0V (3.2V) (4.8V)

  • VCE max:

    650.0V

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更多IKZ50N65NH5供应商 更新时间2025-11-21 15:08:00