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|---|---|---|---|---|
IKZ50N65NH5 | 分立式IGBT 为了进一步提高 TrenchStop ™5IGBT 技术的出色性能,英飞凌在高功率封装中提供了额外的 Kelvin 发射极引脚。TO-247 4 引脚为栅极-发射极控制环路提供了超低电感,使得 TRENCHSTOP™5 IGBT 能够达到同类中较为出色的开关性能。通过采用标准 TO-247 封装体并添加额外第4针来启用 Kelvin 发射极配置。 • 极低的控制电感环路\n• 与标准 TO-247 封装相同的集电极发射极的爬电距离\n• 与标准TO-247相比,系统效率得到提高\n• IGBT在较低的结温度下工作\n• 过电流条件下的功耗更小; | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
IKZ50N65NH5 | 650V DuoPack IGBT and diode High speed series fifth generation 文件:2.16829 Mbytes 页数:16 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
Package:TO-247-4;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4 | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- Technology :
IGBT TRENCHSTOP™ 5
- Switching Frequency min max:
30.0kHz 100.0kHz
- Package :
TO-247-4
- Voltage Class max:
650.0V
- IC(@100°) max:
54.0A
- IC(@25°) max:
85.0A
- ICpuls max:
200.0A
- Ptot max:
273.0W
- VCE(sat) :
1.65V
- Eon :
0.35mJ
- Eoff(Hard Switching) :
0.2mJ
- td(on) :
22.0ns
- tr :
8.0ns
- td(off) :
252.0ns
- tf :
23.0ns
- QGate :
109.0nC
- IF max:
79.0A
- IFpuls max:
200.0A
- VF :
1.6V
- Qrr :
490.0nC
- Irrm :
22.0A
- VGE(th) (min) (max):
4.0V (3.2V) (4.8V)
- VCE max:
650.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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三年内 |
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