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IKWH50N67PR7

丝印:H50EPR7;Package:PG-TO247-3-U04;TRENCHSTOP™ IGBT 7 PR7 Reverse Conducting IGBT for boost PFC stage

Features • VCE = 670 V • IC = 50 A • Pin-to-pin creepage distance > 4.8 mm • Pin-to-pin clearance distance > 3.4 mm • Optimized monolithic diode for PFC applications • Improved EMI behavior with lower dv/dt • Very low VCEsat = 1.4 V (typ.) at 25°C • Stable temperature behavior • Low tempe

文件:1.40213 Mbytes 页数:14 Pages

INFINEON

英飞凌

IKWH50N67PR7

670 V、50 A TRENCHSTOP ™ IGBT7 PR7,带反并联二极管,采用 TO-247-3 引脚高爬电距离和电气间隙封装

670 V、50 A PR7 采用 TO-247-3 引脚高爬电距离和间隙封装,专门针对升压 PFC 级(如 RAC/CAC 和 HVAC 应用)进行了优化。它是其后继产品,具有改进的 EMI 特性、一流的可靠性和稳健性,为高功率和高开关频率应用提供了先进的性能和更好的性价比。 • 通过降低 dv/dt 改善 EMI 行为\n• V CE  = 670 V\n• V CEsat;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Eon:

    0.98 mJ

  • IC(@100°) max:

    65 A

  • IC(@25°) max:

    105 A

  • ICpulsmax:

    150 A

  • IFpulsmax:

    5 A

  • Ptotmax:

    246 W

  • QGate:

    127 nC

  • RG:

    9.8 Ω

  • td(off):

    182 ns

  • td(on):

    18 ns

  • tf:

    32 ns

  • tr:

    19 ns

  • VCE(sat):

    1.4 V

  • VCEmax:

    670 V

  • VGE(th):

    3.95 V

  • Package:

    TO-247-3-HCC

  • Switching Frequency:

    20 kHz to 65 kHz

  • Technology:

    TRENCHSTOP™ IGBT7

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更多IKWH50N67PR7供应商 更新时间2026-2-5 11:06:00