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IGW25N120H3	文件：907.61 Kbytes Page：16 Pages	HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnologyrecommendedincombinationwithSiCDiodeIDH15S120 Features: TRENCHSTOPTMtechnologyoffering •bestinclassswitchingperformance:lessthan500µJtotalswitchinglossesachievable •verylowVCEsat •lowEMI •maximumjunctiontemperatur	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGW25N120H3	文件：2.31905 Mbytes Page：16 Pages	IGW25N120H3 Features: TRENCHSTOPTMtechnologyoffering •bestinclassswitchingperformance:lessthan500µJtotal switchinglossesachievable •verylowVCEsat •lowEMI •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •completeproductspectrumandPSpic	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW25N120H3	文件：850.59 Kbytes Page：8 Pages	TrenchandField-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.05V@IC=25A ·Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode ·LowSwitchingLosses APPLICATIONS ·UninterruptedPowerSupply ·AirConditioning ·weldingconverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IKW25N120H3	文件：2.14854 Mbytes Page：16 Pages	1200Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration HighspeedDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode Features: TRENCHSTOPTMtechnologyoffering •verylowVCEsat •lowEMI •Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDEC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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