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Infineon(英飞凌)N/A

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Infineon(英飞凌)N/A

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Infineon(英飞凌)N/A

18746

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INFINEONDIP8

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VIS/INFDIPSOP8

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天津市博通航睿技术有限公司

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INFINEON/英飞凌DIP-8

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SIEMENSDIP8

65800

专业光耦

光耦原装优势主营型号-可开原型号增税票

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INFINEONDIP8

65480

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Infineon14+

28462

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##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术

深圳市威雅利发展有限公司

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INFINEONDIP8

920

0101+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市诺美思科技有限公司

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Infineon原厂封装

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原装进口公司现货假一赔百

深圳市昌和盛利电子有限公司

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SIEMENSSOP-8

12735

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代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订

深圳市河锋鑫科技有限公司

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INFINEONDIP8

8000

22+

终端可免费供样,支持BOM配单

深圳市昊创电子有限公司

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VISHAY/威世DIP8

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INFINEONDIP8

28000

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深圳市安富世纪电子有限公司

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INFINEONDIP8

940

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ILD621GB价格：￥1.9855品牌：VISHAY

生产厂家品牌为VISHAY的ILD621GB多少钱，想知道ILD621GB价格是多少？参考价：￥1.9855。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，ILD621GB批发价格及采购报价，ILD621GB销售排行榜及行情走势，ILD621GB报价。

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ILD621功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR >50% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk

ILD621_07制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Optocoupler, Phototransistor Output

ILD621GB功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR >100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk

ILD621GB-X001功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk

ILD621GB-X007功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk

ILD621GB-X007T功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk

ILD621-X001功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 50% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk

ILD621-X006制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Optocoupler, Phototransistor Output(Dual, Quad Channel)

ILD621-X007功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 50% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk

ILD621-X007T功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Dual CTR > 50% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk

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