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IKP39N65ES5	文件：300 bytes Page：1 Pages	650 V、39 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-220 封装硬开关 650 V、39 A TRENCHSTOP ™ 5 S5 IGBT 采用小型 TO-220 封装，适用于在 10 kHz 和 40 kHz 之间切换的应用，以实现高电流密度、高效率、更快的上市周期、降低电路设计复杂性并优化 PCB 物料清单成本。 • 25°C 时 VCEsat 极低，仅为 1.45 V\n • 4 倍 Ic 脉冲电流 (100°C Tc)\n • 软电流下降特性\n • 对称、低电压过冲\n • 栅极电压受控\n • 无意外导通风险\n • 无需栅极钳位\n • 最大 Tvj = 175°C\n • 合格。雅高符合 JEDEC 标准;	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP39N65ES5	文件：2.00191 Mbytes Page：16 Pages	丝印：K39EES5；Package：PG-TO220-3；High speed switching series 5 th generation 文件：2.00191 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP39N65ES5XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 39A TO220-3	Infineon 英飞凌	Infineon
IKQ50N120CH3	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN	Infineon 英飞凌上传：深圳市维尔达电子有限公司	Infineon
IKW15N120T2	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN	Infineon 英飞凌上传：深圳市维尔达电子有限公司	Infineon

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更多IKP39N65ES5供应商更新时间2025-12-12 15:01:00