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IKP20N65F5	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT 高速 650 V、40 A 硬开关 TRENCHSTOPTM IGBT5 可与 TO-247 封装中 RAPID 1 快速和软反并联二极管共同封装，被定义为“同类最佳”IGBT。 • 650V 击穿电压\n• 对比英飞凌业界卓著的“HighSpeed 3”系列\n• Qg 系数降低 2.5 倍\n• 开关损耗系数降低 2 倍\n• V CE (sat) 减少了 200mV\n• 采用英飞凌极速硅二极管技术\n• 低 C OES/E OSS\n• 温和正温度系数 V CE (sat)\n• Vf 的温度稳定\n\n优势:\n• 具有出色的效率，降低结温和外壳温度，从而提高设备可靠性\n• 母线电压可提升 50V，同时不影响可靠性\n• 更高的功率密度设计;	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP20N65F5	文件：2.29464 Mbytes Page：17 Pages	650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation 文件：2.29464 Mbytes 页数：17 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKP20N65F5XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3	Infineon 英飞凌	Infineon
IGP20N65F5	文件：2.057409 Mbytes Page：14 Pages	650V IGBT high speed switching series fifth generation 文件：2.057409 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	IKP20N65F5	Infineon(英飞凌)	24+	TO-220	942	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
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更多IKP20N65F5供应商更新时间2025-10-10 9:19:00