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IKN06N60RC2	文件：1.63745 Mbytes Page：17 Pages	Marking：K6DRC2；Package：PG-SOT223-3；600 V Reverse Conducting Drive 2 offering cost effective IGBT with monolithically integrated diode Features •VCE=600V •IC=6A •Verytightparameterdistribution •Operatingrangeof1to20kHz •Maximumjunctiontemperature150°C •Shortcircuitcapabilityof3μs •Humidityrobustdesign •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •CompleteproductspectrumandPSpiceModels:htt	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKN06N60RC2ATMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IKN06N60RC2

文件：1.63745 Mbytes

Page：17 Pages

Marking：K6DRC2；Package：PG-SOT223-3；600 V Reverse Conducting Drive 2 offering cost effective IGBT with monolithically integrated diode

Features •VCE=600V •IC=6A •Verytightparameterdistribution •Operatingrangeof1to20kHz •Maximumjunctiontemperature150°C •Shortcircuitcapabilityof3μs •Humidityrobustdesign •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •CompleteproductspectrumandPSpiceModels:htt

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IKN06N60RC2ATMA1

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Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3

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